Especificações principais:
Polaridade do transistor: canal N
Tensão de ruptura dreno-fonte (Vds): 200V
Corrente de dreno contínua (Id): 130 A
Resistência de entrada dreno-fonte (Rds(on)): 9,7 mOhms (típico a 10 V Vgs)
Tensão de porta-fonte (Vgs): ±30 V
Carga de porta (Qg): 161 nC
Dissipação de energia (Pd): 520 W
Faixa de temperatura operacional: -55 °C a +175 °C
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